产品概览

产品型号
TC58BYG1S3HBAI6
现有数量
596
制造商
Toshiba Memory America, Inc.
产品类别
存储器
产品详细
IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA

文档与媒体

数据列表
TC58BYG1S3HBAI6

产品属性

供应商器件封装 :
67-VFBGA(6.5x8)
写周期时间 - 字,页 :
25ns
包装 :
托盘
存储器接口 :
并联
存储器格式 :
闪存
存储器类型 :
非易失
存储容量 :
2Gb (256M x 8)
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
67-VFBGA
工作温度 :
-40°C ~ 85°C(TA)
技术 :
FLASH - NAND (SLC)
时钟频率 :
-
电压 - 电源 :
1.7 V ~ 1.95 V
系列 :
Benand™
访问时间 :
25ns
零件状态 :
在售