韩国SK Hynix 1Ynm DDR4芯片研制完成:8Gb容量、功耗减少15%

在全球DRAM内存芯片市场上,SK Hynix目前的市场份额达到了29%,仅次于三星的45%,位列全球第二,领先于美光。在DRAM技术上,今年三星及美光都宣布了新一代1Ynm工艺的DRAM内存芯片,SK Hynix日前也宣布开发出1Ynm工艺的8Gb DDR4内存,频率3200Mbps,同时生产效率提升20%,功耗降低了15%。

8Gb DDR4-3200内存颗粒本身并不新鲜,三星/SK Hynix/美光两年前就有类似的产品了,不过这次的8Gb DDR4内存芯片是1Ynm工艺,这是1Xnm工艺之后第二代10nm级DRAM工艺,三星、美光之前已经宣布过类似的产品,现在是SK Hynix试产新工艺了。

在20nm节点之后,DRAM内存工艺的线宽指标不再那么精确,所以有了1Xnm、1Ynm及1Znm之分,简单来说1Xnm工艺相当于1Znm工艺大概是12-14nm级别,现在三星、美光及SK Hynix是进行到了第二代10nm级工艺,不过三家量产的产品不同,三星、美光都是选择LPDDR4X内存首发1Ynm工艺,SK Hynix选择的是1Ynm工艺的DDR4-3200内存。

除了工艺升级,SK Hynix还表示他们的1Ynm工艺8Gb DDR4芯片在生产效率上提升了20%,性能也是目前最快的。此外,通过Sense Amp.Control技术,1Ynm工艺的DDR4芯片能耗降低了15%,

根据SK Hynix的规划,1Ynm工艺的DDR4内存预计会从明年Q1季度开始出货,首先面向服务器及PC产品,接下来还会有针对移动设备等产品的1Ynm工艺内存芯片。