行业资讯

韩国SK Hynix 1Ynm DDR4芯片研制完成:8Gb容量、功耗减少15%

2018-11-12
在全球DRAM内存芯片市场上,SK Hynix目前的市场份额达到了29%,仅次于三星的45%,位列全球第二,领先于美光。在DRAM技术上,今年三星及美光都宣布了新一代1Ynm工艺的DRAM内存芯片,SK Hynix日前也宣布开发出1Ynm工艺的8Gb DDR4内存,频率3200Mbps,同时生...

存储器原厂扩产抢进3D NAND市场,下游封测厂商受益

2018-11-05
随着NAND Flash闪存每GB价格下探0.1美元的甜蜜点后,包括固态硬盘(SSD)及智能手机的容量升级需求已被引爆,也导致全球NAND Flash原厂全力扩产抢进3D NAND市场。虽然业界普遍认为,随着新产能开出将导致NAND Flash价格持续下滑,但庞大的产能却让封测厂...

美光2019年将生产DDR5内存 预计2023年进入市场

2018-10-18
DRAM内存的价格已经连涨三年了,目前乐观的预计是今年底价格触顶,2019年开始下滑,只不过未来8GB DDR4单条价格没可能降回200元的水平,因为内存厂商很快就会转向新一代的DDR5内存了。对于DDR5内存,大家知道它的频率可达到6400Mbps,DRAM核心容量也会提升到1...

东芝与西数合资新晶圆厂已量产新一代96层3D NAND Flash

2018-09-20
日本存储器大厂东芝存储器(Toshiba Memory Corporation)与西数(Western Digital)于19日宣布,共同在日本三重县四日市的6号晶圆厂(Fab 6)举行开幕仪式。该厂为新设先进半导体制造厂区,并设有存储器研发中心(Memory R&D Center)。东芝存储器是自2017年2月开始兴建...

华邦电新建12英寸晶圆厂,将于2020年完工试产

2018-08-21
华邦电子将新建12英寸厂,通过南科12英寸晶圆厂兴建计划及购买设备,总金额203.67亿元(新台币,下同),预计第4季开始动土兴建,预计于2020年完工试产。基于长期发展及营运所需,华邦电17日董事会通过12英寸晶圆厂兴建计划及购买设备,建厂阶段投资金额约195.6亿元,购置研发设备...

美光、英特尔将停止长达14年的NAND合作

2018-07-19
美光(Micron)及英特尔(Intel)昨(18)日共同宣布在3D NAND存储器合作开发计划的最新进展,双方已同意第二代3D XPoint技术开发的共同合作,预计将于2019上半年完成,之后更先进的技术开发将由两家公司各自进行,以发展出最佳的技术,以因应自家产品和业务的需求。也就...

国际三大存储器厂商遭中国反垄断调查

2018-06-06
据美国《华尔街日报》6月5日报道,中国监管机构正在调查存储芯片生产商美光科技公司、三星电子和海力士半导体,这三家公司均表示,中国国家市场监督管理总局官员近期走访了其中国办公室。另据英国路透社6月4日报道,韩国三星电子证实中国国家市场监督管理总局的调查人员上周造访了...

存储IC供不应求 华邦、旺宏4月营收年成长上涨

2018-05-07
存储IC厂家华邦电7日公布自行结算的2018年4月份财务报告。报告指出,华邦含新唐科技等子公司,4月份合并营收为44.89亿元(新台币,下同),较2018年3月份增加7.35%,较2017年同期也增加23.43%。累计2018年1至4月合并营收,则是达到166.45亿元,较2017年同期增加18.37%。日前华邦...

复旦大学开创新存储技术:写入速度10纳秒 可定制有效期

2018-04-10
复旦大学团队开创研发了第三类存储技术。近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。北京时间4月10日,相关工作以《用于准非...

存储技术攻坚战从闪存开始

2018-03-02
3月1日下午,紫光存储科技有限公司携全系列高性能闪存产品首次亮相时强调,“标志着我国自主品牌闪存产品可以满足各类存储应用需求”。以内存、闪存、处理器为代表的集成电路产业是我国企业尚未大规模攻克的重点领域之一。从过去一系列不成功的国际收购案例看,我国要通过海外并购...
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